同惠TH521係列功率器件(jiàn)分析儀(yí)上(shàng)市(shì)通(tōng)知

日期：2026-07-16 09:45

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摘要：產品(pǐn)介(jiè)紹(shào)： TH521係(xì)列(liè)功率器(qì)件(jiàn)分析儀的(dí)主(zhǔ)要(yào)技(jì)術參數(shù)包(bāo)括*大(dà)輸出電(diàn)壓(yā)±3500V，*大輸(shū)出電流±1800A，電壓(yā)測(cè)量*小分(fēn)辨率100nV，電流(liú)測(cè)量*小(xiǎo)分辨(biàn)率(shuài)10fA，電容測(cè)量集(jí)電極*大偏置電壓±3500V以(yǐ)及(jí)*高10MHz的測量(liáng)頻率(shuài)。 TH521係列(liè)功率(shuài)器件(jiàn)分析(xī)儀(yí)由主機加(jiā)擴(kuò)展(zhǎn)器的(dí)形式組(zǔ)成(chéng)，有八種(zhǒng)測量(liáng)模(mó)塊，各(gè)模(mó)塊實現(xiàn)著獨(dú)特的(dí)功能特(tè)性，能(néng)夠(gòu)根據客(kè)戶(hù)的實際需求(qiú)靈活挑(tiāo)選不同(tóng)型號(hào)的(dí)主(zhǔ)機(jī)進(jìn)行搭配(pèi)組(zǔ)合(hé)。

TH521係列(liè)功(gōng)率(shuài)器(qì)件(jiàn)分析儀是同(tóng)惠電子推出的功(gōng)率器件(jiàn)測(cè)試儀器，於2026年正(zhèng)式上市 [2]。該係(xì)列(liè)主(zhǔ)要針(zhēn)對(duì)SiC，GaN等(děng)功率半導體(tǐ)器件的測試(shì)需(xū)求 [1]。TH521係列*大輸(shū)出電壓達±3500V，*大(dà)輸出電(diàn)流達±1800A [1-2]。它(tā)集成了IV，CV，Qg，腳本(běn)測試(shì)和DataSheet五大測試模塊(kuài)，能夠(gòu)一(yī)站(zhàn)式覆蓋(gài)功率器件的靜(jìng)態和(hé)動(dòng)態參數(shù)測(cè)試。該係列采(cǎi)用主(zhǔ)機(jī)加(jiā)擴展器(qì)的形式，提供八種測(cè)量模塊(kuài)供(gōng)靈(líng)活選(xuǎn)配。此(cǐ)外，它還具備AI輔(fǔ)助編寫(xiě)測試腳本(běn)和技術(shù)文檔自(zì)動(dòng)生成功(gōng)能(néng)。

TH521係(xì)列(liè)功率器(qì)件分析儀的(dí)主(zhǔ)要(yào)技術(shù)參數包(bāo)括(kuò)*大輸(shū)出(chū)電(diàn)壓±3500V，*大(dà)輸(shū)出(chū)電(diàn)流±1800A，電壓(yā)測(cè)量*小分(fēn)辨率(shuài)100nV，電流測量(liáng)*小(xiǎo)分辨率(shuài)10fA，電容(róng)測(cè)量集(jí)電極*大偏置電壓±3500V以及*高(gāo)10MHz的測量頻率(shuài)。

TH521係列功(gōng)率器件分析儀由(yóu)主機(jī)加擴展器的(dí)形式組成，有(yǒu)八種(zhǒng)測(cè)量模塊(kuài)，各模塊實現著(zhuó)獨特(tè)的功能特(tè)性(xìng)，能夠根(gēn)據客戶的實(shí)際(jì)需求靈活挑選不(bù)同(tóng)型號(hào)的主(zhǔ)機進(jìn)行(háng)搭(dā)配(pèi)組合(hé)。

！精(jīng)準(zhǔn)破解功率(shuài)半導體器件測試難題(tí)，賦能國產智造！

在(zài)全(quán)球(qiú)半導體產業向(xiàng)高能效，高頻(pín)化，高溫化(huà)演進的關鍵(jiàn)節點，第(dì)三(sān)代半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料(liào)（碳化(huà)矽SiC，氮化(huà)镓GaN）憑借(jiè)其(qí)寬禁(jīn)帶(dài)特性(xìng)，正成為(wéi)新能(néng)源，5G通信，電動汽車(chē)等(děng)領(lǐng)域(yù)的(dí)核心(xīn)支撐技(jì)術。

在(zài)此背(bèi)景下，TH521係列(liè)功(gōng)率器件(jiàn)分(fēn)析儀通過**架構設(shè)計(jì)，將多(duō)參數(shù)測(cè)量，多(duō)測量模塊，超廣工作(zuò)範圍等(děng)模(mó)塊集(jí)成於單(dān)台設備，為應(yīng)用提(tí)供(gōng)質量保障。

多參數(shù)測量(liáng)/ Tonghui /

TH521係(xì)列實現(xiàn)單機集成IV/CV/Qg/腳(jiǎo)本測試/DataSheet五大(dà)核心測試(shì)模塊，一站式覆蓋(gài)功率(shuài)器件靜態穩態特性(xìng)與動(dòng)態開關(guān)性(xìng)能的全維(wéi)度(dù)核心參數測試(shì)。

八(bā)種(zhǒng)測(cè)量(liáng)模塊/ Tonghui /

TH521係(xì)列(liè)由(yóu)主(zhǔ)機加擴展器(qì)的(dí)形(xíng)式組成，從(cóng)下圖(tú)可(kě)以看(kàn)出(chū)，左圖(tú)部(bù)分為儀器的(dí)主機，右(yòu)圖為大(dà)電(diàn)流(liú)擴展器用(yòng)於(yú)大(dà)電(diàn)流測試。

主機#

大(dà)電流(liú)擴展(zhǎn)器#

有八種測(cè)量模塊，各(gè)模塊實現著獨特的(dí)功(gōng)能特性(xìng)，能(néng)夠(gòu)根據(jù)客(kè)戶的實際需求，靈活(huó)挑選不同(tóng)型(xíng)號的主機(jī)進(jìn)行搭配(pèi)組(zǔ)合。

寬(kuān)廣的工作範(fàn)圍/ Tonghui /

在(zài)第三代半導體(tǐ)應(yīng)用中，新(xīn)能源(yuán)汽車(chē)對碳化矽(guī)（SiC）功(gōng)率器(qì)件(jiàn)的(dí)耐(nài)高壓(yā)性能要求(qiú)嚴苛(kē)。以(yǐ)3300V碳化矽MOSFET為(wéi)例(lì)，其主驅(qū)逆(nì)變(biàn)器(qì)，高壓快(kuài)充(chōng)等場(cháng)景需承受(shòu)電網(wǎng)級電壓波(bō)動與瞬態(tài)過(guò)壓(yā)衝(chōng)擊，測試需采用(yòng)遠超標稱電(diàn)壓(yā)的強(qiáng)化(huà)方案(àn)以(yǐ)確保(bǎo)可(kě)靠性(xìng)。

TH521係列(liè)*大(dà)輸出(chū)電(diàn)壓能(néng)達到(dào)±3500V*大(dà)輸(shū)出電(diàn)流能(néng)達到±1800A，電(diàn)壓(yā)測量(liáng)*小分(fēn)辨(biàn)率(shuài)100nV，電流測(cè)量*小(xiǎo)分辨率10fA，針(zhēn)對(duì)電容測量集電極*大偏置(zhì)電壓達到±3500V，測量頻率*高可以(yǐ)達(dá)到(dào)10MHz。

（TH521係列(liè)產(chǎn)品型號(hào)）

自(zì)動(dòng)創建(jiàn)Datasheet/ Tonghui /

為提升功率(shuài)器(qì)件(jiàn)研發效(xiào)率並(bìng)規避人(rén)工(gōng)處(chǔ)理海量數(shù)據(jù)導致的(dí)誤(wù)差風(fēng)險，TH521係(xì)列技術資(zī)料生成係(xì)統基(jī)於(yú)標準化(huà)模板(bǎn)庫(kù)，可自(zì)動創建功率(shuài)器(qì)件(jiàn)（半導體和元(yuán)器件）的(dí)技術資(zī)料(liào)。

AI輔(fǔ)助腳(jiǎo)本(běn)編輯功能(néng)/ Tonghui /

TH521突破(pò)傳統儀器依賴(lài)人工(gōng)編(biān)程的(dí)模式(shì)，引(yǐn)入(rù)AI輔(fǔ)助(zhù)編(biān)寫Python測試(shì)腳本(běn)功(gōng)能，通過自(zì)然語言(yán)交互實現“所思即(jí)所得(dé)"的腳本開發(fā)。這一突破性設計為功率器件(jiàn)研(yán)發從(cóng)"經(jīng)驗驅動"向"數據驅動(dòng)"的智(zhì)能(néng)化(huà)轉(zhuǎn)型提(tí)供了(liǎo)關(guān)鍵工具支撐。

總(zǒng)結/ Tonghui /

同惠電子(zǐ)將(jiāng)持(chí)續(xù)深(shēn)耕(gēng)半(bàn)導體(tǐ)測(cè)試領域，聚焦(jiāo)SiC/GaN等功率(shuài)器件需求，突(tū)破動態參數，多物理場測(cè)試等關(guān)鍵技(jì)術(shù)，研發(fā)覆(fù)蓋全周期(qī)的(dí)智能化(huà)測試方案，助力(lì)行業技(jì)術(shù)突(tū)破(pò)與國(guó)產化進程(chéng)，為(wéi)中國半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)產業(yè)鏈自主(zhǔ)可控貢獻力量。

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